| Обозначение: | ГОСТ 20859.1-89 |
| Статус: | действующий |
| Название рус.: | Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
| Название англ.: | Power semiconductor devices. General technical requirements |
| Дата актуализации текста: | 07.11.2012 |
| Дата актуализации описания: | 07.11.2012 |
| Дата введения в действие: | 01.01.1990 |
| Область и условия применения: | Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения — диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений |
| Взамен: | ГОСТ 20859.1-79 |
| Заменяющий в части: | ГОСТ 30617-98 в части модулей |
| Расположен в: |
|
